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日本filmetrics顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)

產(chǎn)品時(shí)間：2024-06-01

訪問(wèn)次數(shù)：906

簡(jiǎn)要描述：

日本filmetrics顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)F54
F54顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)是將微小區(qū)域內(nèi)的高精度膜厚/光學(xué)常數(shù)分析功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板，它可以以的速度在點(diǎn)測(cè)量薄膜厚度和折射率。

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詳細(xì)介紹

日本filmetrics顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)F54

F54顯微自動(dòng)膜厚測(cè)量系統(tǒng)是將微小區(qū)域內(nèi)的高精度膜厚/光學(xué)常數(shù)分析功能與自動(dòng)高速載物臺(tái)相結(jié)合的系統(tǒng)。兼容 2 英寸到 450 毫米的硅基板，它可以以的速度在點(diǎn)測(cè)量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用選擇1μm至100μm。

主要應(yīng)用

半導(dǎo)體平板

抗蝕劑、氧化膜、氮化膜、非晶/多晶硅、拋光硅片、化合物半導(dǎo)體、?T襯底等。

有機(jī)膜、聚酰亞胺、ITO、單元間隙等

產(chǎn)品陣容

模型

F54-UV

F54

F54-近紅外

F54-EXR

F54-UVX

測(cè)量波長(zhǎng)范圍

膜厚測(cè)量范圍

5倍

10倍

15倍

50倍

100倍

性*


190 – 1100nm	400 – 850nm	950 – 1700nm	400 – 1700nm	190 – 1700nm
————	20nm-40μm	40nm – 120μm	20nm – 120μm	————
————	20nm – 35μm	40nm – 70μm	20nm – 70μm	————
4nm – 30μm	20nm-40μm	40nm – 100μm	20nm – 100μm	4nm – 100μm
————	20nm – 2μm	40nm – 4μm	20nm – 4μm	————
————	20nm – 1.5μm	40nm – 3μm	20nm – 3μm	————
± 0.2% 薄膜厚度		± 0.4% 薄膜厚度	± 0.2% 薄膜厚度
1納米	2納米	3納米	2納米	1納米

測(cè)量示例

可以測(cè)量硅晶片上的氧化膜和抗蝕劑。

主要特點(diǎn)

結(jié)合基于光學(xué)干涉原理的膜厚測(cè)量功能和自動(dòng)高速載物臺(tái)的系統(tǒng)
兼容5x到50x物鏡，測(cè)量光斑直徑可根據(jù)應(yīng)用從1μm到100μm變化。
兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

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